一、課題組簡介：
功率芯片研究室是以浙大電氣工程學院盛況教授團隊為核心成立的，是國內高校中較早開展寬禁帶半導體功率芯片研究的團隊之一，研究方向包括碳化硅功率芯片、超寬禁帶半導體功率芯片、先進散熱、封裝與應用等，碳化硅功率芯片小組負責人為浙大電氣工程學院任娜研究員。2020年研究室建設完成一條國際先進的6吋碳化硅功率芯片專用工藝線，承擔了碳化硅功率芯片領域的多個國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、浙江省重點研發(fā)計劃項目，并與企業(yè)成立了碳化硅功率器件技術聯合實驗室。
盛況教授，國家杰出青年基金獲得者，浙江大學求是特聘教授，博士生導師現任浙江大學電氣工程學院院長，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院院長。盛教授長期從事硅和寬禁帶半導體功率芯片、封裝及應用研究，包括芯片設計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機、各類電源等領域中的應用，2009年回國創(chuàng)建浙江大學電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團隊。
任娜研究員，浙江大學電氣工程學院特聘研究員、博士生導師，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心雙聘學者、青年卓越人才計劃入選者，長期從事碳化硅功率器件的相關研究，包括器件結構設計、工藝制造、芯片研制、抗輻射可靠性加固等方向。在器件領域國際知名期刊與會議上共發(fā)表70余篇論文，擁有20余項碳化硅功率器件領域的發(fā)明專利，并獲得首屆浙江省知識產權獎三等獎。
二、研究方向：
1.碳化硅MOSFET器件：碳化硅平面柵MOSFET、碳化硅溝槽柵MOSFET、關鍵工藝制造技術、大電流芯片研制技術；
2.新型碳化硅功率器件：碳化硅浮空結/超級結器件、碳化硅功率集成器件、高壓大功率碳化硅器件；
3.碳化硅功率器件輻射效應與抗輻射加固：碳化硅功率器件輻射效應機理、抗輻射加固結構設計與工藝制造方法。
三、博士后招聘條件及要求：
1．具有微電子、電氣、信電、光電、材料等相關專業(yè)研究背景。
2．近三年內獲得博士學位或入職前可以獲得博士學位，以第一作者發(fā)表過SCI文章。
3．對科研工作有濃厚的興趣，有較強科研素養(yǎng)和英文讀寫能力。
4．具備較強的獨立科研能力、良好的敬業(yè)精神和團隊合作精神。
5．年齡在35周歲及以下，身心健康，可全職從事博士后研究工作。
四、職業(yè)發(fā)展與薪酬待遇：
1．具體面議，同時可享受地方政府免稅人才補助15萬元/年（外籍人才可享受17.5萬元/年。）；應屆博士畢業(yè)生，符合條件者可額外享受10萬元杭州市應屆生人才補貼。
2．提供一流的實驗與科學研究條件，共享浙江大學頂尖學術生態(tài)體系。
3．提供專項科研經費支持；對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，分別給予相應配套資助和獎勵；對生源優(yōu)秀或取得標志成果的博士后，給予額外獎勵（相關獎勵可疊加）。
4．符合條件的，可申報博士后海外引才專項，享受三年生活補助和安家費相關政策。
5．表現優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心青年人才、技術研發(fā)等崗位。
6．在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關系列高級專業(yè)技術職務；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
7．出站后留杭或蕭山工作的，可申請杭州市D類人才或蕭山區(qū)政府相應人才政策。
8．符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策。
9．協(xié)助解決子女教育入學、辦理落戶、政府人才配套用房申請、人才項目申報、人才認定等。
10．提供一流的科研條件和博士后聯誼會交流平臺，享受園區(qū)一站式保障服務，如食堂、健身房、體育館等。
五、應聘方式:
1．提供詳細的個人簡歷，以及表明研究能力和學術水平的成果（如：學術論文、項目、獲獎情況等）及佐證材料。
2．應聘者請將材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：hic@zju.edu.cn，或先進半導體研究院郵箱：ldl1125@zju.edu.cn,附件和郵件主題均以“功率芯片研究室+博士后+姓名 ”標明。
應聘者的申請材料將嚴格保密，初審通過者將安排面試。
